晶讯聚震获得战略投资，国投创业领投
艾媒咨询10月13日消息，晶讯聚震科技有限公司（以下简称“晶讯聚震”）宣布获得国投创业战略投资，据了解，此次融资主要用于提供高频、大带宽、高性能射频滤波器，以满足未来5G终端设备、信息传输系统等领域的需要。
珠海晶讯聚震科技有限公司(CRT)是一家由行业领军人才和技术专家领导的国际化企业，成立于2017年7月27日，由 Dror先生在珠海成立，公司核心技术团队均来自来半导体相关行业知名公司，拥有丰富的半导体实战经验，其中核心技术团队掌握有多项专利技术，及产品的工艺 Know-How，拥有核心设计团队，工艺开发和设备团队，及市场销售和管理团队。公司旨在成为全球高端滤波器芯片供应商，基于下一代薄膜体声波谐振器（FBAR），运用本公司独特的SMART FBAR 技术所产出的高单晶压电材料及特有的晶圆级封装的结构，提供高频、高性能的射频滤波器，以满足未来 5G 终端设备、 信号基站和物联网制造商的性能要求。
国投创业投资管理有限公司（以下简称国投创业）成立于2016年，是国投集团以市场化方式独立运营的基金管理公司。 国投创业以 “服务国家创新战略，聚焦科技成果转化”为宗旨，在探索科技成果产业化的创新实践中，将充分兼顾政策导向和投资回报目标，切实落实国家发展战略，努力实现政府、社会和市场的共赢，力争成为一家“有理想、可信赖、受尊敬、有影响”的业内领先的专业化基金管理机构。
目前，全球半导体市场依然在持续增长，但增速有所放缓。在这个行业中，头部厂商和国产厂商都在不断发力，争夺市场份额。半导体材料也随着技术的不断发展而不断演化，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AIN）等为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。随着新基建、新能源等新兴行业的快速发展，半导体产业未来的发展将更加多元化和复杂化。
